صامصونگدن یاپای ذکا بللكلرنده دیو حمله: أورتیم قپاسیتەسی قاتلانییور
Samsung'dan Yapay Zeka Belleklerinde Dev Hamle: Üretim Kapasitesi Katlanıyor
چامCam طاشییجیTaşıyıcı طلبندەTalebinde بویوكBüyük صیچرامهSıçrama حبمHBM أورتیمندهüretiminde قوللانیلانkullanılan درامDRAM قاتمانلرنڭkatmanlarının اینجلتیلمسی،inceltilmesi, دلنمسیdelinmesi وve پاکتلەنلنمسیpaketlenmesi گبیgibi حسّاسhassas ایشلملرişlemler صیرەسندەsırasında بوکولمهbükülme ویاveya قیریلمالریkırılmaları أوڭلەمكönlemek ایچونiçin گچیجیgeçici چامcam طاشیییجیلارtaşıyıcılar قوللانیللانیلییور.kullanılıyor. صامصونگڭSamsung'un بوbu سورچدەsüreçte قوللاندیغیkullandığı آیلقaylık چامcam طاشییجیtaşıyıcı تەمیزلەمەtemizleme وve تداركtedarik حجمhacmi ایکیiki بیڭbin یگرمیyirmi بشbeş ییلندەyılında اونon بیڭbin عادتadet سوییەسیندیکن،seviyesindeyken, ایکیiki بیڭbin یگرمیyirmi آلتیaltı ییلندەyılında یگرمیyirmi بیڭbin عاددەadede اولاشدی.ulaştı. شرکتڭŞirketin تداركtedarik زنجیریzinciri پلانلامالرنەplanlamalarına گورەgöre بوbu حجم،hacim, ایکیiki بیڭbin یگرمیyirmi یدyedi ییلیyılı اعتباریلهitibarıyla تامtam ایکیiki بوچوقbuçuk قاتkat آرتارقartarak آیلقaylık أللیelli بیڭbin عاددەadede فیرلایاجق.fırlayacak. چامCam پانللرڭpanellerin تکرارtekrar قوللانیلابیلیرkullanılabilir یاپیسیyapısı گوزgöz أوڭنەönüne آلیندیغڭدە،alındığında, سپارشلردەكیsiparişlerdeki بوbu دیوآساdevasa آرتیشartış مونتاژmontaj خطڭدەكیhattındaki یوکسكyüksek قاتمانلیkatmanlı ایشلمەişleme حجمنڭhacminin نهne قدرkadar بویویەجەگینیbüyüyeceğini آچیقجەaçıkça اورتایهortaya قویویور.koyuyor.
أورتیمÜretim پاستەسیندهPastasında یڭیYeni نسلNesil مودللرڭModellerin حاکمیدیHakimiyeti Samsung'unSamsung'un toplamtoplam HBMHBM plakaplaka işlemeişleme kapasitesininkapasitesinin ikiiki binbin yirmiyirmi altıaltı yılındakiyılındaki aylıkaylık yüzyüz seksenseksen binbin adetadet seviyesinden,seviyesinden, ikiiki binbin yirmiyirmi yediyedi yılındayılında yaklaşıkyaklaşık yüzdeyüzde otuzotuz dokuzlukdokuzluk birbir artışlaartışla ikiiki yüzyüz ellielli binbin adedeadede ulaşmasıulaşması bekleniyor.bekleniyor. ToplamToplam üretimüretim içerisindekiiçerisindeki ürünürün dengesidengesi dede bubu doğrultudadoğrultuda hızlahızla dönüşüyor.dönüşüyor. HalihazırdaHalihazırda HBMHBM teslimatlarınınteslimatlarının yaklaşıkyaklaşık yüzdeyüzde kırkınıkırkını oluşturanoluşturan HBM4HBM4 veve HBM4EHBM4E ailesininailesinin payı,payı, ikiiki binbin yirmiyirmi yediyedi yılındayılında yüzdeyüzde seksenseksen seviyesineseviyesine tırmanacak.tırmanacak. BuBu stratejikstratejik dönüşüm,dönüşüm, özellikleözellikle Nvidia'nınNvidia'nın VeraVera RubinRubin mimarisimimarisi baştabaşta olmakolmak üzereüzere yeniyeni nesilnesil yapayyapay zekazeka hızlandırıcılarınınhızlandırıcılarının yüksekyüksek bantbant genişliğigenişliği gereksinimlerinigereksinimlerini karşılamayıkarşılamayı amaçlıyor.amaçlıyor. SektörSektör genelindegenelinde yaşananyaşanan bubu olağanüstüolağanüstü taleptalep patlaması,patlaması, bellekbellek kıtlığıkıtlığı yaratarakyaratarak teknolojiteknoloji şirketlerinişirketlerini yepyeniyepyeni donanımdonanım mimarilerimimarileri tasarlamayatasarlamaya itiyor.itiyor.
درتDört نانومترهNanometre معماریMimari وve گلیشمشGelişmiş پاقەتلەمەPaketleme تکنولوژیسیTeknolojisi حبم4HBM4 معماریسیندهmimarisinde بللكbellek ییغیننڭyığınının اڭen التندهaltında یرyer آلانalan وve سیستمڭsistemin منطقسالmantıksal دڭتیمینیdenetimini صاغلایانsağlayan طبعاtaban قالبی،kalıbı, پرفورمانسدهperformansta صوڭson درجەderece قریتیكkritik برbir رولrol اویناییور.oynuyor. صامصونگ،Samsung, حبم4HBM4 طبعاtaban قالبیkalıbı أورتیمیüretimi ایچونiçin کندیkendi یاریyarı ایلتکنiletken تأسیسلریدەكیtesislerindeki درتdört نانومترهnanometre أورتیمüretim قپاسیتەسنڭkapasitesinin یاریسیندنyarısından فضلەسنیfazlasını بوbu ایشەişe تحثیثtahsis ایتدی.etti. گلەجکدەکیGelecekteki بللكbellek تاصاریملریtasarımları ایچونiçin ایکیiki نانومترهnanometre أورتیمüretim سورچلرنیsüreçlerini دەde دورەیەdevreye صوقماییsokmayı پلانلایانplanlayan شرکت؛şirket; اونon ایکیiki قاتمانلیkatmanlı قرقkırk سکزsekiz گیگابایطgigabayt قونفیگوراصیونده،konfigürasyonda, ییغینyığın باشنەbaşına ثانیەدهsaniyede أوچüç ویرگولvirgül آلتیaltı ترابایطterabayt بانتbant گڭیشلگنەgenişliğine وve پینpin باشنەbaşına اونon آلتیaltı گیگابیتgigabit آقتاریمaktarım خیزنەhızına اولاشانulaşan هبم4هHBM4E أورنكلرنیörneklerini مشتریلرنەmüşterilerine اولاشطیرمایەulaştırmaya باشلادی.başladı. تکنولوژیTeknoloji دیوی،devi, بوbu آگرەسیفagresif حملەسییلهhamlesiyle بللكbellek پازارڭدەكیpazarındaki پایینیpayını خیزلهhızla آرتیرماییartırmayı وve لیدرلكینیliderliğini پکیشتیرمەییpekiştirmeyi هدفلییور.hedefliyor.
مخابر:Muhabir: برقBerk کوچكKüçük
صامصونگدن یاپای ذکا بللكلرنده دیو حمله: أورتیم قپاسیتەسی قاتلانییور
چام طاشییجی طلبندە بویوك صیچرامه حبم أورتیمنده قوللانیلان درام قاتمانلرنڭ اینجلتیلمسی، دلنمسی و پاکتلەنلنمسی گبی حسّاس ایشلملر صیرەسندە بوکولمه ویا قیریلمالری أوڭلەمك ایچون گچیجی چام طاشیییجیلار قوللانیللانیلییور. صامصونگڭ بو سورچدە قوللاندیغی آیلق چام طاشییجی تەمیزلەمە و تدارك حجم ایکی بیڭ یگرمی بش ییلندە اون بیڭ عادت سوییەسیندیکن، ایکی بیڭ یگرمی آلتی ییلندە یگرمی بیڭ عاددە اولاشدی. شرکتڭ تدارك زنجیری پلانلامالرنە گورە بو حجم، ایکی بیڭ یگرمی ید ییلی اعتباریله تام ایکی بوچوق قات آرتارق آیلق أللی بیڭ عاددە فیرلایاجق. چام پانللرڭ تکرار قوللانیلابیلیر یاپیسی گوز أوڭنە آلیندیغڭدە، سپارشلردەكی بو دیوآسا آرتیش مونتاژ خطڭدەكی یوکسك قاتمانلی ایشلمە حجمنڭ نه قدر بویویەجەگینی آچیقجە اورتایه قویویور.
أورتیم پاستەسینده یڭی نسل مودللرڭ حاکمیدی Samsung’un toplam HBM plaka işleme kapasitesinin iki bin yirmi altı yılındaki aylık yüz seksen bin adet seviyesinden, iki bin yirmi yedi yılında yaklaşık yüzde otuz dokuzluk bir artışla iki yüz elli bin adede ulaşması bekleniyor. Toplam üretim içerisindeki ürün dengesi de bu doğrultuda hızla dönüşüyor. Halihazırda HBM teslimatlarının yaklaşık yüzde kırkını oluşturan HBM4 ve HBM4E ailesinin payı, iki bin yirmi yedi yılında yüzde seksen seviyesine tırmanacak. Bu stratejik dönüşüm, özellikle Nvidia’nın Vera Rubin mimarisi başta olmak üzere yeni nesil yapay zeka hızlandırıcılarının yüksek bant genişliği gereksinimlerini karşılamayı amaçlıyor. Sektör genelinde yaşanan bu olağanüstü talep patlaması, bellek kıtlığı yaratarak teknoloji şirketlerini yepyeni donanım mimarileri tasarlamaya itiyor.
درت نانومتره معماری و گلیشمش پاقەتلەمە تکنولوژیسی حبم4 معماریسینده بللك ییغیننڭ اڭ التنده یر آلان و سیستمڭ منطقسال دڭتیمینی صاغلایان طبعا قالبی، پرفورمانسده صوڭ درجە قریتیك بر رول اویناییور. صامصونگ، حبم4 طبعا قالبی أورتیمی ایچون کندی یاری ایلتکن تأسیسلریدەكی درت نانومتره أورتیم قپاسیتەسنڭ یاریسیندن فضلەسنی بو ایشە تحثیث ایتدی. گلەجکدەکی بللك تاصاریملری ایچون ایکی نانومتره أورتیم سورچلرنی دە دورەیە صوقمایی پلانلایان شرکت؛ اون ایکی قاتمانلی قرق سکز گیگابایط قونفیگوراصیونده، ییغین باشنە ثانیەده أوچ ویرگول آلتی ترابایط بانت گڭیشلگنە و پین باشنە اون آلتی گیگابیت آقتاریم خیزنە اولاشان هبم4ه أورنكلرنی مشتریلرنە اولاشطیرمایە باشلادی. تکنولوژی دیوی، بو آگرەسیف حملەسییله بللك پازارڭدەكی پایینی خیزله آرتیرمایی و لیدرلكینی پکیشتیرمەیی هدفلییور.
مخابر: برق کوچك
أورتیم پاستەسینده یڭی نسل مودللرڭ حاکمیدی Samsung’un toplam HBM plaka işleme kapasitesinin iki bin yirmi altı yılındaki aylık yüz seksen bin adet seviyesinden, iki bin yirmi yedi yılında yaklaşık yüzde otuz dokuzluk bir artışla iki yüz elli bin adede ulaşması bekleniyor. Toplam üretim içerisindeki ürün dengesi de bu doğrultuda hızla dönüşüyor. Halihazırda HBM teslimatlarının yaklaşık yüzde kırkını oluşturan HBM4 ve HBM4E ailesinin payı, iki bin yirmi yedi yılında yüzde seksen seviyesine tırmanacak. Bu stratejik dönüşüm, özellikle Nvidia’nın Vera Rubin mimarisi başta olmak üzere yeni nesil yapay zeka hızlandırıcılarının yüksek bant genişliği gereksinimlerini karşılamayı amaçlıyor. Sektör genelinde yaşanan bu olağanüstü talep patlaması, bellek kıtlığı yaratarak teknoloji şirketlerini yepyeni donanım mimarileri tasarlamaya itiyor.
درت نانومتره معماری و گلیشمش پاقەتلەمە تکنولوژیسی حبم4 معماریسینده بللك ییغیننڭ اڭ التنده یر آلان و سیستمڭ منطقسال دڭتیمینی صاغلایان طبعا قالبی، پرفورمانسده صوڭ درجە قریتیك بر رول اویناییور. صامصونگ، حبم4 طبعا قالبی أورتیمی ایچون کندی یاری ایلتکن تأسیسلریدەكی درت نانومتره أورتیم قپاسیتەسنڭ یاریسیندن فضلەسنی بو ایشە تحثیث ایتدی. گلەجکدەکی بللك تاصاریملری ایچون ایکی نانومتره أورتیم سورچلرنی دە دورەیە صوقمایی پلانلایان شرکت؛ اون ایکی قاتمانلی قرق سکز گیگابایط قونفیگوراصیونده، ییغین باشنە ثانیەده أوچ ویرگول آلتی ترابایط بانت گڭیشلگنە و پین باشنە اون آلتی گیگابیت آقتاریم خیزنە اولاشان هبم4ه أورنكلرنی مشتریلرنە اولاشطیرمایە باشلادی. تکنولوژی دیوی، بو آگرەسیف حملەسییله بللك پازارڭدەكی پایینی خیزله آرتیرمایی و لیدرلكینی پکیشتیرمەیی هدفلییور.
مخابر: برق کوچك
Samsung'dan Yapay Zeka Belleklerinde Dev Hamle: Üretim Kapasitesi Katlanıyor
Cam Taşıyıcı Talebinde Büyük Sıçrama HBM üretiminde kullanılan DRAM katmanlarının inceltilmesi, delinmesi ve paketlenmesi gibi hassas işlemler sırasında bükülme veya kırılmaları önlemek için geçici cam taşıyıcılar kullanılıyor. Samsung’un bu süreçte kullandığı aylık cam taşıyıcı temizleme ve tedarik hacmi iki bin yirmi beş yılında on bin adet seviyesindeyken, iki bin yirmi altı yılında yirmi bin adede ulaştı. Şirketin tedarik zinciri planlamalarına göre bu hacim, iki bin yirmi yedi yılı itibarıyla tam iki buçuk kat artarak aylık elli bin adede fırlayacak. Cam panellerin tekrar kullanılabilir yapısı göz önüne alındığında, siparişlerdeki bu devasa artış montaj hattındaki yüksek katmanlı işleme hacminin ne kadar büyüyeceğini açıkça ortaya koyuyor.
Üretim Pastasında Yeni Nesil Modellerin Hakimiyeti Samsung’un toplam HBM plaka işleme kapasitesinin iki bin yirmi altı yılındaki aylık yüz seksen bin adet seviyesinden, iki bin yirmi yedi yılında yaklaşık yüzde otuz dokuzluk bir artışla iki yüz elli bin adede ulaşması bekleniyor. Toplam üretim içerisindeki ürün dengesi de bu doğrultuda hızla dönüşüyor. Halihazırda HBM teslimatlarının yaklaşık yüzde kırkını oluşturan HBM4 ve HBM4E ailesinin payı, iki bin yirmi yedi yılında yüzde seksen seviyesine tırmanacak. Bu stratejik dönüşüm, özellikle Nvidia’nın Vera Rubin mimarisi başta olmak üzere yeni nesil yapay zeka hızlandırıcılarının yüksek bant genişliği gereksinimlerini karşılamayı amaçlıyor. Sektör genelinde yaşanan bu olağanüstü talep patlaması, bellek kıtlığı yaratarak teknoloji şirketlerini yepyeni donanım mimarileri tasarlamaya itiyor.
Dört Nanometre Mimari ve Gelişmiş Paketleme Teknolojisi HBM4 mimarisinde bellek yığınının en altında yer alan ve sistemin mantıksal denetimini sağlayan taban kalıbı, performansta son derece kritik bir rol oynuyor. Samsung, HBM4 taban kalıbı üretimi için kendi yarı iletken tesislerindeki dört nanometre üretim kapasitesinin yarısından fazlasını bu işe tahsis etti. Gelecekteki bellek tasarımları için iki nanometre üretim süreçlerini de devreye sokmayı planlayan şirket; on iki katmanlı kırk sekiz gigabayt konfigürasyonda, yığın başına saniyede üç virgül altı terabayt bant genişliğine ve pin başına on altı gigabit aktarım hızına ulaşan HBM4E örneklerini müşterilerine ulaştırmaya başladı. Teknoloji devi, bu agresif hamlesiyle bellek pazarındaki payını hızla artırmayı ve liderliğini pekiştirmeyi hedefliyor.
Muhabir: Berk Küçük
Üretim Pastasında Yeni Nesil Modellerin Hakimiyeti Samsung’un toplam HBM plaka işleme kapasitesinin iki bin yirmi altı yılındaki aylık yüz seksen bin adet seviyesinden, iki bin yirmi yedi yılında yaklaşık yüzde otuz dokuzluk bir artışla iki yüz elli bin adede ulaşması bekleniyor. Toplam üretim içerisindeki ürün dengesi de bu doğrultuda hızla dönüşüyor. Halihazırda HBM teslimatlarının yaklaşık yüzde kırkını oluşturan HBM4 ve HBM4E ailesinin payı, iki bin yirmi yedi yılında yüzde seksen seviyesine tırmanacak. Bu stratejik dönüşüm, özellikle Nvidia’nın Vera Rubin mimarisi başta olmak üzere yeni nesil yapay zeka hızlandırıcılarının yüksek bant genişliği gereksinimlerini karşılamayı amaçlıyor. Sektör genelinde yaşanan bu olağanüstü talep patlaması, bellek kıtlığı yaratarak teknoloji şirketlerini yepyeni donanım mimarileri tasarlamaya itiyor.
Dört Nanometre Mimari ve Gelişmiş Paketleme Teknolojisi HBM4 mimarisinde bellek yığınının en altında yer alan ve sistemin mantıksal denetimini sağlayan taban kalıbı, performansta son derece kritik bir rol oynuyor. Samsung, HBM4 taban kalıbı üretimi için kendi yarı iletken tesislerindeki dört nanometre üretim kapasitesinin yarısından fazlasını bu işe tahsis etti. Gelecekteki bellek tasarımları için iki nanometre üretim süreçlerini de devreye sokmayı planlayan şirket; on iki katmanlı kırk sekiz gigabayt konfigürasyonda, yığın başına saniyede üç virgül altı terabayt bant genişliğine ve pin başına on altı gigabit aktarım hızına ulaşan HBM4E örneklerini müşterilerine ulaştırmaya başladı. Teknoloji devi, bu agresif hamlesiyle bellek pazarındaki payını hızla artırmayı ve liderliğini pekiştirmeyi hedefliyor.
Muhabir: Berk Küçük
📖 Osmanlıca Orijinal Metin
صامصونگدن یاپای ذکا بللكلرنده دیو حمله: أورتیم قپاسیتەسی قاتلانییور
چام طاشییجی طلبندە بویوك صیچرامه حبم أورتیمنده قوللانیلان درام قاتمانلرنڭ اینجلتیلمسی، دلنمسی و پاکتلەنلنمسی گبی حسّاس ایشلملر صیرەسندە بوکولمه ویا قیریلمالری أوڭلەمك ایچون گچیجی چام طاشیییجیلار قوللانیللانیلییور. صامصونگڭ بو سورچدە قوللاندیغی آیلق چام طاشییجی تەمیزلەمە و تدارك حجم ایکی بیڭ یگرمی بش ییلندە اون بیڭ عادت سوییەسیندیکن، ایکی بیڭ یگرمی آلتی ییلندە یگرمی بیڭ عاددە اولاشدی. شرکتڭ تدارك زنجیری پلانلامالرنە گورە بو حجم، ایکی بیڭ یگرمی ید ییلی اعتباریله تام ایکی بوچوق قات آرتارق آیلق أللی بیڭ عاددە فیرلایاجق. چام پانللرڭ تکرار قوللانیلابیلیر یاپیسی گوز أوڭنە آلیندیغڭدە، سپارشلردەكی بو دیوآسا آرتیش مونتاژ خطڭدەكی یوکسك قاتمانلی ایشلمە حجمنڭ نه قدر بویویەجەگینی آچیقجە اورتایه قویویور.أورتیم پاستەسینده یڭی نسل مودللرڭ حاکمیدی Samsung’un toplam HBM plaka işleme kapasitesinin iki bin yirmi altı yılındaki aylık yüz seksen bin adet seviyesinden, iki bin yirmi yedi yılında yaklaşık yüzde otuz dokuzluk bir artışla iki yüz elli bin adede ulaşması bekleniyor. Toplam üretim içerisindeki ürün dengesi de bu doğrultuda hızla dönüşüyor. Halihazırda HBM teslimatlarının yaklaşık yüzde kırkını oluşturan HBM4 ve HBM4E ailesinin payı, iki bin yirmi yedi yılında yüzde seksen seviyesine tırmanacak. Bu stratejik dönüşüm, özellikle Nvidia’nın Vera Rubin mimarisi başta olmak üzere yeni nesil yapay zeka hızlandırıcılarının yüksek bant genişliği gereksinimlerini karşılamayı amaçlıyor. Sektör genelinde yaşanan bu olağanüstü talep patlaması, bellek kıtlığı yaratarak teknoloji şirketlerini yepyeni donanım mimarileri tasarlamaya itiyor.
درت نانومتره معماری و گلیشمش پاقەتلەمە تکنولوژیسی حبم4 معماریسینده بللك ییغیننڭ اڭ التنده یر آلان و سیستمڭ منطقسال دڭتیمینی صاغلایان طبعا قالبی، پرفورمانسده صوڭ درجە قریتیك بر رول اویناییور. صامصونگ، حبم4 طبعا قالبی أورتیمی ایچون کندی یاری ایلتکن تأسیسلریدەكی درت نانومتره أورتیم قپاسیتەسنڭ یاریسیندن فضلەسنی بو ایشە تحثیث ایتدی. گلەجکدەکی بللك تاصاریملری ایچون ایکی نانومتره أورتیم سورچلرنی دە دورەیە صوقمایی پلانلایان شرکت؛ اون ایکی قاتمانلی قرق سکز گیگابایط قونفیگوراصیونده، ییغین باشنە ثانیەده أوچ ویرگول آلتی ترابایط بانت گڭیشلگنە و پین باشنە اون آلتی گیگابیت آقتاریم خیزنە اولاشان هبم4ه أورنكلرنی مشتریلرنە اولاشطیرمایە باشلادی. تکنولوژی دیوی، بو آگرەسیف حملەسییله بللك پازارڭدەكی پایینی خیزله آرتیرمایی و لیدرلكینی پکیشتیرمەیی هدفلییور.
مخابر: برق کوچك
🔤 Latinize Transkripsiyon (Çeviriyazı)
Samsung'dan Yapay Zeka Belleklerinde Dev Hamle: Üretim Kapasitesi Katlanıyor
Cam Taşıyıcı Talebinde Büyük Sıçrama HBM üretiminde kullanılan DRAM katmanlarının inceltilmesi, delinmesi ve paketlenmesi gibi hassas işlemler sırasında bükülme veya kırılmaları önlemek için geçici cam taşıyıcılar kullanılıyor. Samsung’un bu süreçte kullandığı aylık cam taşıyıcı temizleme ve tedarik hacmi iki bin yirmi beş yılında on bin adet seviyesindeyken, iki bin yirmi altı yılında yirmi bin adede ulaştı. Şirketin tedarik zinciri planlamalarına göre bu hacim, iki bin yirmi yedi yılı itibarıyla tam iki buçuk kat artarak aylık elli bin adede fırlayacak. Cam panellerin tekrar kullanılabilir yapısı göz önüne alındığında, siparişlerdeki bu devasa artış montaj hattındaki yüksek katmanlı işleme hacminin ne kadar büyüyeceğini açıkça ortaya koyuyor.Üretim Pastasında Yeni Nesil Modellerin Hakimiyeti Samsung’un toplam HBM plaka işleme kapasitesinin iki bin yirmi altı yılındaki aylık yüz seksen bin adet seviyesinden, iki bin yirmi yedi yılında yaklaşık yüzde otuz dokuzluk bir artışla iki yüz elli bin adede ulaşması bekleniyor. Toplam üretim içerisindeki ürün dengesi de bu doğrultuda hızla dönüşüyor. Halihazırda HBM teslimatlarının yaklaşık yüzde kırkını oluşturan HBM4 ve HBM4E ailesinin payı, iki bin yirmi yedi yılında yüzde seksen seviyesine tırmanacak. Bu stratejik dönüşüm, özellikle Nvidia’nın Vera Rubin mimarisi başta olmak üzere yeni nesil yapay zeka hızlandırıcılarının yüksek bant genişliği gereksinimlerini karşılamayı amaçlıyor. Sektör genelinde yaşanan bu olağanüstü talep patlaması, bellek kıtlığı yaratarak teknoloji şirketlerini yepyeni donanım mimarileri tasarlamaya itiyor.
Dört Nanometre Mimari ve Gelişmiş Paketleme Teknolojisi HBM4 mimarisinde bellek yığınının en altında yer alan ve sistemin mantıksal denetimini sağlayan taban kalıbı, performansta son derece kritik bir rol oynuyor. Samsung, HBM4 taban kalıbı üretimi için kendi yarı iletken tesislerindeki dört nanometre üretim kapasitesinin yarısından fazlasını bu işe tahsis etti. Gelecekteki bellek tasarımları için iki nanometre üretim süreçlerini de devreye sokmayı planlayan şirket; on iki katmanlı kırk sekiz gigabayt konfigürasyonda, yığın başına saniyede üç virgül altı terabayt bant genişliğine ve pin başına on altı gigabit aktarım hızına ulaşan HBM4E örneklerini müşterilerine ulaştırmaya başladı. Teknoloji devi, bu agresif hamlesiyle bellek pazarındaki payını hızla artırmayı ve liderliğini pekiştirmeyi hedefliyor.
Muhabir: Berk Küçük
📚 Metinde Geçen Kelimelerin Lugatçesi
Yirmi
➔
یگرمی<br />
Yılında
➔
ییلندە<br />
Altı
➔
آلتی<br />
Üretim
➔
أورتیم<br />
Bellek
➔
بللك<br />
Samsung
➔
صامصونگ<br />
Aylık
➔
آیلق<br />
Adede
➔
عاددە<br />
Yedi
➔
ید<br />
Yüzde
➔
یوزدە<br />
Hbm4
➔
حبم4<br />
Nanometre
➔
نانومتره<br />
Taşıyıcı
➔
طاشییجی<br />
Tedarik
➔
تدارك<br />
Adet
➔
عادت<br />
Elli
➔
أللی<br />
Yüksek
➔
یوکسك<br />
Katmanlı
➔
قاتمانلی<br />
Işleme
➔
أیشلەمه<br />
Yeni
➔
یڭی<br />
Nesil
➔
نسل<br />
Toplam
➔
طوپلام<br />
Kapasitesinin
➔
قپاسیتەسنڭ<br />
Seksen
➔
سکسان<br />
Yaklaşık
➔
یاقلاشیق<br />
Hızla
➔
خیزله<br />
Hbm4E
➔
هبم4ه<br />
Bant
➔
بانت<br />
Teknoloji
➔
تکنولوژی<br />
Dört
➔
درت
چام طاشییجی طلبندە بویوك صیچرامه حبم أورتیمنده قوللانیلان درام قاتمانلرنڭ اینجلتیلمسی، دلنمسی و پاکتلەنلنمسی گبی حسّاس ایشلملر صیرەسندە بوکولمه ویا قیریلمالری أوڭلەمك ایچون گچیجی چام طاشیییجیلار قوللانیللانیلییور. صامصونگڭ بو سورچدە قوللاندیغی آیلق چام طاشییجی تەمیزلەمە و تدارك حجم ایکی بیڭ یگرمی بش ییلندە اون بیڭ عادت سوییەسیندیکن، ایکی بیڭ یگرمی آلتی ییلندە یگرمی بیڭ عاددە اولاشدی. شرکتڭ تدارك زنجیری پلانلامالرنە گورە بو حجم، ایکی بیڭ یگرمی ید ییلی اعتباریله تام ایکی بوچوق قات آرتارق آیلق أللی بیڭ عاددە فیرلایاجق. چام پانللرڭ تکرار قوللانیلابیلیر یاپیسی گوز أوڭنە آلیندیغڭدە، سپارشلردەكی بو دیوآسا آرتیش مونتاژ خطڭدەكی یوکسك قاتمانلی ایشلمە حجمنڭ نه قدر بویویەجەگینی آچیقجە اورتایه قویویور.
أورتیم پاستەسینده یڭی نسل مودللرڭ حاکمیدی Samsung’un toplam HBM plaka işleme kapasitesinin iki bin yirmi altı yılındaki aylık yüz seksen bin adet seviyesinden, iki bin yirmi yedi yılında yaklaşık yüzde otuz dokuzluk bir artışla iki yüz elli bin adede ulaşması bekleniyor. Toplam üretim içerisindeki ürün dengesi de bu doğrultuda hızla dönüşüyor. Halihazırda HBM teslimatlarının yaklaşık yüzde kırkını oluşturan HBM4 ve HBM4E ailesinin payı, iki bin yirmi yedi yılında yüzde seksen seviyesine tırmanacak. Bu stratejik dönüşüm, özellikle Nvidia’nın Vera Rubin mimarisi başta olmak üzere yeni nesil yapay zeka hızlandırıcılarının yüksek bant genişliği gereksinimlerini karşılamayı amaçlıyor. Sektör genelinde yaşanan bu olağanüstü talep patlaması, bellek kıtlığı yaratarak teknoloji şirketlerini yepyeni donanım mimarileri tasarlamaya itiyor.
درت نانومتره معماری و گلیشمش پاقەتلەمە تکنولوژیسی حبم4 معماریسینده بللك ییغیننڭ اڭ التنده یر آلان و سیستمڭ منطقسال دڭتیمینی صاغلایان طبعا قالبی، پرفورمانسده صوڭ درجە قریتیك بر رول اویناییور. صامصونگ، حبم4 طبعا قالبی أورتیمی ایچون کندی یاری ایلتکن تأسیسلریدەكی درت نانومتره أورتیم قپاسیتەسنڭ یاریسیندن فضلەسنی بو ایشە تحثیث ایتدی. گلەجکدەکی بللك تاصاریملری ایچون ایکی نانومتره أورتیم سورچلرنی دە دورەیە صوقمایی پلانلایان شرکت؛ اون ایکی قاتمانلی قرق سکز گیگابایط قونفیگوراصیونده، ییغین باشنە ثانیەده أوچ ویرگول آلتی ترابایط بانت گڭیشلگنە و پین باشنە اون آلتی گیگابیت آقتاریم خیزنە اولاشان هبم4ه أورنكلرنی مشتریلرنە اولاشطیرمایە باشلادی. تکنولوژی دیوی، بو آگرەسیف حملەسییله بللك پازارڭدەكی پایینی خیزله آرتیرمایی و لیدرلكینی پکیشتیرمەیی هدفلییور.
مخابر: برق کوچك
Cam Taşıyıcı Talebinde Büyük Sıçrama HBM üretiminde kullanılan DRAM katmanlarının inceltilmesi, delinmesi ve paketlenmesi gibi hassas işlemler sırasında bükülme veya kırılmaları önlemek için geçici cam taşıyıcılar kullanılıyor. Samsung’un bu süreçte kullandığı aylık cam taşıyıcı temizleme ve tedarik hacmi iki bin yirmi beş yılında on bin adet seviyesindeyken, iki bin yirmi altı yılında yirmi bin adede ulaştı. Şirketin tedarik zinciri planlamalarına göre bu hacim, iki bin yirmi yedi yılı itibarıyla tam iki buçuk kat artarak aylık elli bin adede fırlayacak. Cam panellerin tekrar kullanılabilir yapısı göz önüne alındığında, siparişlerdeki bu devasa artış montaj hattındaki yüksek katmanlı işleme hacminin ne kadar büyüyeceğini açıkça ortaya koyuyor.
Üretim Pastasında Yeni Nesil Modellerin Hakimiyeti Samsung’un toplam HBM plaka işleme kapasitesinin iki bin yirmi altı yılındaki aylık yüz seksen bin adet seviyesinden, iki bin yirmi yedi yılında yaklaşık yüzde otuz dokuzluk bir artışla iki yüz elli bin adede ulaşması bekleniyor. Toplam üretim içerisindeki ürün dengesi de bu doğrultuda hızla dönüşüyor. Halihazırda HBM teslimatlarının yaklaşık yüzde kırkını oluşturan HBM4 ve HBM4E ailesinin payı, iki bin yirmi yedi yılında yüzde seksen seviyesine tırmanacak. Bu stratejik dönüşüm, özellikle Nvidia’nın Vera Rubin mimarisi başta olmak üzere yeni nesil yapay zeka hızlandırıcılarının yüksek bant genişliği gereksinimlerini karşılamayı amaçlıyor. Sektör genelinde yaşanan bu olağanüstü talep patlaması, bellek kıtlığı yaratarak teknoloji şirketlerini yepyeni donanım mimarileri tasarlamaya itiyor.
Dört Nanometre Mimari ve Gelişmiş Paketleme Teknolojisi HBM4 mimarisinde bellek yığınının en altında yer alan ve sistemin mantıksal denetimini sağlayan taban kalıbı, performansta son derece kritik bir rol oynuyor. Samsung, HBM4 taban kalıbı üretimi için kendi yarı iletken tesislerindeki dört nanometre üretim kapasitesinin yarısından fazlasını bu işe tahsis etti. Gelecekteki bellek tasarımları için iki nanometre üretim süreçlerini de devreye sokmayı planlayan şirket; on iki katmanlı kırk sekiz gigabayt konfigürasyonda, yığın başına saniyede üç virgül altı terabayt bant genişliğine ve pin başına on altı gigabit aktarım hızına ulaşan HBM4E örneklerini müşterilerine ulaştırmaya başladı. Teknoloji devi, bu agresif hamlesiyle bellek pazarındaki payını hızla artırmayı ve liderliğini pekiştirmeyi hedefliyor.
Muhabir: Berk Küçük
Bir yanıt yazın